(無題) 

November 21 [Wed], 2012, 3:53
しかしながら、550℃、50時間の同じサンプルの処理は両方のN型サンプルにおいて測定可能な重水素プロファイルか生成された。サンプル?のサンプルはとても複雑です。表面から1μ下がったとても高い拡散濃度において平坦域をみせた。指数関数プロファイルにおいて水素はサンプル全域に広がっている。
高抵抗率サンプル3においてプロファイルはほぼ指数関数でサンプル全域に広がっている。
従って以下のように結論づけられる。フェルミ準位がバンドギャップのはんぶんよりうえに位置するgunサンプルへ浸透する測定可能なすいそを得るためにはとても高い温度と処理の時間が必要である。図2,3で示したような複雑なプロファイルから拡散係数の値を推論するのはとても難しい。しかしそれは明らかとなった。nガンでの水素拡散率における大きな変化は温度350℃と550℃で得られた。それらは、約数eVの拡散のための活性化エネルギーに必要とされる。それらは理論予測ととても互換性がある。その結果はMOCVDで成長されたgunから水素の外部拡散がどのように可能であるか説明する面で非常に主要な結果である。なぜなら高抵抗Pがんにおいて水素拡散率は測定可能であるから。これらの結果は以下をも示唆する。
表面のnガンを通しての埋もれたPがんからの水素の外部拡散は最もらしいはずであるので。
導電、高抵抗nガンにおける大幅な水素拡散率の減少を考慮すると、高温アニールが必要となるけれども。

しかしながら、一つ念頭に置くべきだ。gunにおける水素拡散プロファイルは極めて水素プラズマトリートメントの条件に敏感である。そしてサンプルへの水素浸透は大きな障害がある。例えば、プラズマにより表面の損傷。
結論、gunにおいてフェルミ準位がバンドギャップの半分から上から下へ向かうとき水素拡散率は増加し、また高抵抗P型サンプルよりも導電性のあるP型サンプルの方が値は高くなる。


(無題) 

November 21 [Wed], 2012, 3:53
計算結果は示しています。高ドープPがた材料において形成エネルギーはとても低い。そしてnガンよりも数電子ボルト高い。
水素拡散の実験研究はとても少ない。それらの結果は確かに示した。高MgドープPgunにおいて水素拡散はとても速い。そして事実上、nガンにおいて水素拡散はない。
しかしながら、それは見てて面白い。より詳細なgunにおける水素拡散率のフェルミ準位依存性は。

フェルミ準位の異なるいくつかのgunサンプルを測定した。サンプル1はえむおーによってサファイア上に成長された。そして1019条のMg濃度かドープされた。室温におけるこのサンプルの正孔濃度は1018に近い。ホール移動度は25cm2/mである。
室温におけるフェルミ準位はev+0.15にちかい。
サンプル2はエムオーによりサファイア上に成長された4.5μ厚さのnガン。サンプル中の電子濃度は2*1017にちかい。フェルミ準位はEc-0.05eVである。移動度は。。
サンプル3はアンドープ半絶縁gun層
サンプル4は亜鉛ドープ0.4μ厚さの高抵抗

これらの結果は、この試料における室温でのフェルミ準位がEv+0.9evで層の全体の厚さが固定されている。
アンドープと亜鉛ドープは好抵抗である。成長中の亜鉛の内部拡散のため。

このサンプルは水素プラズマのかわりに重水素プラズマが行われた。SIMSの感度を上げるため。
処理の大半は後に示すように行われた。
試料は水素と重水素プラズマにさらされた。

さんぷるは1時間保持の間、350℃に保たれた。そしてぷらずまにさらされた。

図1はプラズマ処理後のサンプル1、4から得られた重水素SYMSプロファイルを示している。
それは明らかとなる。Pがたサンプル1において、サンプルの全体の厚さを重水素は拡散している。高抵抗の亜鉛ドープのサンプル4は、0.3μまで1019までの平坦域が見られる。それより長くはほとんど高抵抗のPがたを通り抜けている。
コンダクティングのnがたサンプル2と高抵抗N型サンプル3において測定可能な水素の内部拡散は観測されなかった。
350℃でP型gunの水素は急速に拡散する。とても遅いが価電子帯の上の約1eVのフェルミ準位を持ち高抵抗なP型gunでも観測された。
また、N型材料へは容易に拡散しないことを結論づけた。
サンプル?と3は375℃において似たような結果に落ち着いた。

(無題) 

November 21 [Wed], 2012, 3:52
フェルミレベル位置の違うgunサンプル中の水素拡散の研究は行われた
バンドギャップの上半分のフェルミ準位を持つ半絶縁性のnガンにおいて測定不可の水素が検出された。
後者のサンプルは以下を示した。高い拡販温度と長い時間は水素をかなりの深さに組み込むのに必要です。
これらの発見は以前に公開されたフェルミ準位の違うgun中における水素格子形成依存性の理論予測に沿っている。

水素はgunにおいて非常に技術的に大切な不純物である。成長の間のマグネシウムアクセプタの水素パッシベーションは大きな理由となる。えむおーで成長されたgunにおいてPがた伝導を試みるのが難しいことの。

パッシベーションされたMgアクセプタの再活性化は低い温度で可能であると最近の研究で示された。
もし薄いニッケル膜が水素ゲッタリングエージェントとして表面に存在していたら。と、もし酸素がアニーリングガスに存在していたら。

一方、nガンの水素パッシベーションの効果をうたった目立つ報告はない。
理論分析は示しています。振る舞いの違いはフェルミ準位上gunにおける水素格子間の形成エネルギーに強く依存しているために起こる。

初日記☆ 

January 30 [Sun], 2011, 8:24
昨日から春休みに突入しましたー!
充実した毎日を送るためにもブログを毎日書いていこうかなと思います☆

まず、春休みにやりたいことは、英語の勉強です。
英語を日常会話レベルにまで上げていきたいと思います♪
そのためには休日に7時間、平日に3時間は勉強する必要があると聞きました!
あきもそれぐらい勉強していかなくてはと思います。
勉強するにあたって、ウォークマンを新しくひとつ買おうかなーと思います。
iPodのほうはお気に入りの曲をバンバン入れていきたいと思います♪♪

あとは、モムチャンダイエットのDVDを買って、ダイエットにも励みたいと思います。
それと高校の友達と韓国旅行に行きます♪
海外行ったことない&飛行機に乗ったことがないのでとっても楽しみです♪

それとオークションでいらない服をたくさん売っていきたいと思います♪
本と映画を見て、感受性豊かに、知識のある人になりたいです。

車の運転もマスターしたいなと思います。
とにかくやりたいことがたくさんなのでじっとはしていられません!!!♪
すぐに電車を使ってしまうくせを治したいです。

それと人見知りを治したいです。
人見知りというのは、自分がギブ&テイクの気持ちを持っているとなると聞きました。
この前こっちがあいさつしたから今度はあっちの番とか考えていると、
不思議とそういう気持ちは相手に伝わってしまうみたいです!
頭の中を真っ白にして人と接したり、自分がどう思われるかとかそういう変なプライドを持っていると、
相手には自信のない人に見えるそうです
変なプライドは捨てて、ギブ&ギブの心がけをしていくと人見知りは治っていくそうです☆
それと、相手を心から楽しませることに全神経を集中することが重要みたいです。

私も自分のことばかり考える自己中心的な人物から、相手に何か与えてあげられる、楽しませてあげられるような
人物になりたいと思います♪♪
それとよく相手に気を遣いすぎるような気がします!それでいて無神経なところもあるので、
堂々とふるまって、もし相手を傷つけるようなことがあれば謝って関係を正して行こうと思いました。

そして、毎日をテキパキと元気よく生きていきたいと思います。

まとめとしては、春休みに英語の勉強、ダイエット、本・映画をたくさん読む・見る、大好きな友達と遊ぶ
オークションにてたくさん稼ぐ、魅力的な人物になれるように意識する、たくさんの人と話す。
を心がけていきたいと思います。
院1になるまでに大人の考えを持った素晴らしい人になりたいと思います。

そのためには続ける努力が大切だと思いました!
このブログも3日坊主にならないように続ける努力を心がけます!
春休みが終わったときの調度記事が60をいくといいなと思います♪



P R
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  • アイコン画像 職業:大学生・大学院生
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