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東芝とサムスン、NAND型フラッシュの高速インタフェース仕様の標準化を推進 / 2010年07月24日(土)
 東芝と韓国Samsung Electronicsは7月22日、高速データ転送を実現するNAND型フラッシュメモリのインタフェース仕様「Toggle DDR 2.0」の標準化を推進すると発表した。

 NAND型フラッシュメモリは、「iPad」や「iPhone」のような携帯デバイス、PC用やデータセンター用のSSD(Solid State Drive)などの製品でデータ保存に使われている。Toggle DDR 2.0は最大で400Mbpsのデータ転送が可能で、現在普及しているNAND型フラッシュメモリの40Mbpsと比べて10倍の高速化を実現する。

 東芝とSamsungはそれぞれ、NAND型フラッシュメモリ市場で1、2位を占めている。両社は、NAND型フラッシュメモリのインタフェース仕様をToggle DDR 2.0に共通化することで、より広範な調達先の確保を目指すモバイル機器メーカーなどの要望に応えると述べている。

 Toggle DDRには、ONFI(Open NAND Flash Interface)という競合仕様がある。ONFIは、米国Intel、Micron Technology、SanDiskが支持している。Toggle DDRとONFIは、いずれもSSDのような高性能製品をターゲットとしている。

 ONFIのWebサイトによると、ONFIでは166Mbpsと200Mbpsのデータ転送が可能だ。

 「Toggle DDRとONFIのどちらの実装も、似たパフォーマンス・レベルを目指している」と、業界調査会社Forward InsightsのCEO、グレゴリー・ワン(Gregory Wong)氏は語った。「ONFIのほうが早く確立されたため、先行している。しかし、Toggle DDRのほうが、一般的な非同期インタフェースとの互換性が少し高い」

 ワン氏は、この両技術の普及率は、供給に左右されるだろうとの見方を示した。Samsungと東芝は、2社でNAND型フラッシュメモリ市場で70%近くのシェアを占めるため、市場占有力を生かしてToggle DDRの普及を図れるという。

 Objective Analysisのアナリスト、ジム・ハンディ(Jim Handy)氏は、「NAND型フラッシュ・メモリは、音楽や写真、ビデオの保存だけでなく、データ処理関連の利用が拡大しているため、そのインタフェースの高速化は重要だ」と指摘した。

 Samsungは先月、Toggle DDR対応NAND型フラッシュメモリを採用した最初のSSDの1つを発表した。このSSDは容量が512GBで、読み込み速度が最大250MB/秒、シーケンシャル書き込み速度が220MB/秒となっている。

(Dan Nystedt/IDG News Service台北支局)

【7月23日18時31分配信 COMPUTERWORLD.jp
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20100723-00000001-cwj-sci
 
   
Posted at 03:27/ この記事のURL
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